Wissenschaftler und Ingenieure hatten allerdings bisher befürchtet, dass die Leitfähigkeit der dünnen Siliziumschicht bei Dicken von nur wenigen Nanometern dramatisch zusammenbricht, da die freien Ladungsträger in Fehlstellen an der Silizium/Glas-Grenzfläche eingefangen werden. Das amerikanische Forscherteam hat nun allerdings mithilfe eines Rasterelektronenmikroskops herausgefunden, dass die Leitfähigkeit der Schicht selbst bei einer Dicke von nur zehn Nanometern noch für elektronische Anwendungen ausreicht.
Dazu muss die Siliziumschicht allerdings mit einem hohen Reinheitsgrad hergestellt werden, so dass die Zahl der Fehlstellen äußerst klein ist. Die Studie der Forscher hat in der Tat ergeben, dass die Qualität der Oberfläche einen viel größeren Einfluss auf die Leitfähigkeit ausübt als die Dotierung mit Fremdatomen. Dünne Siliziumschichten verhalten sich daher in Bezug auf ihre elektrischen Eigenschaften grundsätzlich anders als dicke Siliziumblöcke, so Evans.