Forscher entwickeln programmierbare Magnetspeicher

Das von Andreas Ney und seinen Kollegen entwickelte Speicherelement besteht aus zwei winzigen magnetischen Schichten, die durch eine dünne Trennwand voneinander isoliert sind. Diese in der Fachwelt als MRAM (magnetic random access memory) bezeichnete Anordnung kann nun durch Ausrichtung der Elementarmagnete der Schichten ein Bit speichern ? wenn beide Schichten in die gleiche Richtung polarisiert sind eine Eins, im anderen Fall eine Null.

Die unterschiedlichen Polarisierungen verändern den elektrischen Widerstand des Bausteins, so dass dessen Bit durch einen Strom ausgelesen werden kann. Um die beiden Schichten zu polarisieren und somit ein Bit zu speichern, ist der Baustein zudem mit zwei Eingangsleitungen versehen, durch die Ströme geleitet werden können. Ney hat nun herausgefunden, dass je nach Richtung der Speicherströme die Logikoperationen „UND“ sowie „ODER“ auf das gespeicherte Bit angewandt werden können.

Die Forscher meinen, dass eine Verfeinerung ihres Konzeptes schon bald die Herstellung programmierbarer Magnetspeicherchips ermöglichen wird. Auch wenn der vorgestellte Speicherbaustein bisher nur auf dem Papier existiert ? er könnte relativ einfach mit gängigen Methoden der Halbleiterindustrie hergestellt werden, so Ney. Dies rückt magnetische Alternativen zur bisher dominierenden Transistorlogik für Computerchips in den Bereich des Möglichen.