Dass eine mit Wasserstoff passivierte Diamantoberfläche eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist, ist schon länger bekannt. Wenn die Wasserstoffatome allerdings gegen Sauerstoff ausgetauscht werden, so ändern sich die elektrischen Eigenschaften der Oberfläche drastisch in die eines Nichtleiters oder Isolators.
Um diesen Effekt zur Herstellung eines Transistors auszunutzen, ersetzten die Forscher in kontrollierter Weise die Wasserstoffatome bestimmter Bereiche der Diamantoberfläche mit Sauerstoffatomen. Dazu schirmten sie einen Teil der Oberfläche mit einer Maske ab und gaben den Diamanten dann in ein hochreaktives Sauerstoffplasma, das die freiliegenden Wasserstoffatome durch Sauerstoff ersetzte.
Auf diese Weise konnte die Diamanterfläche mit dem elektronischen Bauplan eines Transistors versehen werden. Nun mussten nur noch vier Metallelektroden aus Aluminium aufgedampft werden, um die leitenden und nichtleitenden Bereiche des Transistors zu kontaktieren. Zur großen Zufriedenheit der Forscher wies der so hergestellte Transistor in der Tat eine sehr gute elektronische Schaltcharakteristik auf.
Derartig flache und mikroskopisch kleine Oberflächentransistoren könnten in einer Vielzahl von elektronischen Geräten eingesetzt werden. Da Diamant zudem bioverträglich ist, bietet sich auch ein Einsatz in medizinischen Implantaten an. Die Forscher wollen allerdings zunächst exotischere Geräte wie etwa Ein-Elektronen-Transistoren aus Diamant untersuchen.